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Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.23 |
10+ | $1.10 |
25+ | $1.044 |
100+ | $0.8576 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-PicoStar |
Serie | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Leistung - max | 2.3W |
Verpackung / Gehäuse | 6-XFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Grundproduktnummer | CSD83325 |
CSD83325LT Einzelheiten PDF [English] | CSD83325LT PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH
TI BGA6
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
MOSFET 2N-CH 20V 5A
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
TI SON8
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
TI WSON6
TI DSBGA-12
MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() CSD83325LT |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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